研究内容：
本项目将针对电子束曝光机中的关键结构及整机系统进行相应的技术研究，涉及的主要内容包括：电子枪、电子枪准直系统、电磁透镜、消像散器、偏转器、物镜以及涵盖的束流检测系统、反射电子检测系统、工作台、真空系统、激光干涉仪、图形发射器等。拟解决的关键核心技术包含：
1、基于DSP的新型图形发生器技术，以DSP芯片为主体，上位机通过增强并行接口（EPP）连接通信协议控制器，在原有矢量图形发生器的基础上增加DSP处理器，实现曲线图形的高精度曝光
2、单/多层抗蚀剂曝光工艺，随着电子器件及LSI的发展，IC的层数越来越多，图形越来越复杂，特征线条尺寸越来越细，对抗蚀图像有了更高的要求，如更高的曝光分辨率，更复杂、精确的抗蚀剂层截面形状。因此，常规的单层抗蚀剂曝光工艺难以满足，需要更为复杂的双层抗蚀剂的曝光显影和刻蚀等复合工艺来完成。
3、邻近效应修正技术，理论上，电子束曝光的极限分辨率可达几纳米，但高能入射电子在抗蚀剂中的散射和在衬底上的反射以及背散射引起的邻近效应使曝光图形模糊、影响分辨率，再加上光刻胶的分辨率极限和光刻工艺精度，因此直接使用电子束光刻技术难以得到接近其理论极限的纳米尺度图形。
考核指标：
1、电子枪：ZrO/W场发射肖特基型
2、描画方式：矢量扫描
3、样品尺寸：最大Φ200mm晶圆
4、写场尺寸：最大 2000μmＸ2000μm
5、最细图形线宽（最小曝光图案）≤15nm；
6、场拼接精度：≦±30nm
在同一块掩模板上，电子束对给定图形，作两次分布重复曝光，其两次曝光图形的相对位置偏差≤±30nm;
4、加速电压：50kV, 100kV
5、最大扫描速度/MHz：100
对揭榜方要求：
揭榜方需具有良好的研发团队和研发平台，具有国际化视野；掌握研发电子束曝光机所要求的最新一代先进技术、整体技术达到国际水平；配备有必要的研发、试验设备；能快速实现科研成果产业化。本项目研发过程所产生知识产权归发榜单位所有。
